近日，收到北京市科委通知，我司李福盛博士作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人與北京工業(yè)大學(xué)共同申報(bào)的《康普錫威新型Sn基抗電遷移焊料開(kāi)發(fā)項(xiàng)目》成功獲得北京市自然科學(xué)基金立項(xiàng)支持。

在高密度封裝互連系統(tǒng)中，互連焊點(diǎn)需承載高頻信號(hào)與高電流密度，導(dǎo)致電子風(fēng)力驅(qū)動(dòng)的原子遷移速率呈指數(shù)級(jí)上升，焊點(diǎn)電遷移效應(yīng)顯著，同時(shí)，因局部電流密度分布不均和熱膨脹系數(shù)失配，加速了電遷移與熱疲勞的協(xié)同損傷。傳統(tǒng)Sn基焊點(diǎn)在電遷移效應(yīng)下形成的空洞與裂紋已成為威脅系統(tǒng)可靠性的致命瓶頸。該項(xiàng)目通過(guò)焊料成分設(shè)計(jì)和工藝優(yōu)化實(shí)現(xiàn)Sn基高密度孿晶焊點(diǎn)的穩(wěn)定制備，利用焊點(diǎn)中的高密度孿晶結(jié)構(gòu)抑制電遷移效應(yīng)，提升焊點(diǎn)抗電遷移可靠性。通過(guò)晶界強(qiáng)化提升焊點(diǎn)強(qiáng)度，提高焊點(diǎn)疲勞極限，增強(qiáng)抗熱機(jī)械疲勞可靠性。

北京市自然科學(xué)基金立項(xiàng)支持將有力推動(dòng)我司新型Sn基抗電遷移焊料的研發(fā)進(jìn)程，突破高密度封裝技術(shù)瓶頸，為我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)自主可控和高質(zhì)量發(fā)展提供重要支撐。